[发明专利]一种太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201310495934.2 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103606590A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于溧阳市东大技术转移中心有限公司，未经溧阳市东大技术转移中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310495934.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗呃逆的验方
- 下一篇：一种防治牛腮黄的组合物的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
