[发明专利]混合取向技术中静态随机存储器及写入冗余度改善的方法

摘要

一种混合取向技术中的静态随机存储器，包括：硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底和（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底；浅沟槽隔离，间隔设置在所述硅基衬底内；NMOS器件，设置在所述硅基衬底之第一衬底上；PMOS器件，设置在所述硅基衬底之第二衬底上；上拉晶体管，为PMOS晶体管，并设置在所述硅基衬底之第一衬底上。本发明通过对所述NMOS器件采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底，对所述PMOS器件采用（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底，对所述上拉晶体管采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底，降低所述上拉晶体管的载流子迁移率，增大所述上拉晶体管的等效电阻，进而提高所述静态随机存储器之写入冗余度。

主权项

一种混合取向技术中静态随机存储器，其特征在于，所述静态随机存储器包括：硅基衬底，并通过外延技术在所述硅基衬底上形成的（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底和（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底；浅沟槽隔离，间隔设置在所述硅基衬底之第一衬底和第二衬底之间，并用于所述静态随机存储器之功能器件的电气隔离；NMOS器件，设置在所述硅基衬底之第一衬底上；PMOS器件，设置在所述硅基衬底之第二衬底上，并通过所述浅沟槽隔离与所述NMOS器件电气隔离；上拉晶体管，为PMOS晶体管，并设置在所述硅基衬底之第一衬底上。