[发明专利]一种提高狭长区域冗余图形填充率的方法无效
| 申请号： | 201310491943.4 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103514617A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;张旭升;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06T11/40 | 分类号： | G06T11/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高狭长区域冗余图形填充率的方法，包括：步骤S1：对所述的版图进行一次性传统的冗余图形偏移交错填充；步骤S2：筛选所述冗余图形之未充分填充区域；步骤S3：对所述冗余图形之未充分填充区域再次进行冗余图形偏移交错填充；步骤S4：重复步骤S2、S3，直至所述冗余图形均充分填充。通过本发明所述提高狭长区域冗余图形填充率的方法所获得的版图之冗余图形不仅填充充分、图案密度分布均匀，而且进一步提高后续化学机械研磨或刻蚀的均一性，增强半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 狭长 区域 冗余 图形 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种提高狭长区域冗余图形填充率的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：对所述的版图进行一次性传统的冗余图形偏移交错填充；执行步骤S2：筛选所述冗余图形之未充分填充区域；执行步骤S3：对所述冗余图形之未充分填充区域再次进行冗余图形偏移交错填充；执行步骤S4：重复步骤S2、S3，直至所述冗余图形均充分填充。
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