[发明专利]图像传感器和包括该图像传感器的图像处理系统有效

专利信息
申请号: 201310464857.4 申请日: 2013-10-08
公开(公告)号: CN103716557B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 陈暎究;丁柱焕;朴允童 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H01L27/146
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;张云珠
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种图像传感器和一种包括该图像传感器的图像处理系统。图像传感器包括:像素阵列,包括多个单位像素,每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管;行驱动器块,被构造成使像素阵列中的多个行中的一个行能够进入读出模式;以及读出块,被构造成感测并放大进入读出模式的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号。
搜索关键词: 图像传感器 包括 图像 处理 系统
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:像素阵列,包括多个单位像素,每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管;行驱动器块,被构造成通过控制在读出模式下操作的多个行中的一个行中包括的单个晶体管中的每个晶体管的源极电压和栅极电压,使像素阵列中的所述行能够进入读出模式;以及读出块,被构造成感测并放大在读出模式下操作的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号,其中,单个晶体管包括:漏极和源极,形成在半导体基板中;沟道,将源极和漏极彼此连接,光电二极管与沟道的一部分接触;栅极,形成在漏极和源极之间的凹陷区域中;栅极绝缘层,形成在栅极的侧部上以及栅极的下方,以使栅极绝缘,其中,每个单位像素还包括形成在漏极、源极和栅极下方并掺杂有第一类型杂质的阱层以及形成在阱层下方并掺杂有第二类型杂质的外延层,光电二极管形成在阱层中。
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