[发明专利]一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法有效
| 申请号： | 201310462413.7 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103524127A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 黄新友;李军;高春华 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法，配方组成包括（重量百分比）：(Sr0.96Ba0.04)TiO388-96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O30.1-3%，Dy2O30.1-4%，SiO20.1-2.0%，Al2O30.1-2.5%，SrCO30.03-2.0%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉（ZLB）0.1-2.0%，CuO0.01-2%。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高频晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 晶界层 陶瓷 电容器 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：(Sr0.96Ba0.04)TiO3 88‑96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O3 0.1‑3%，Dy2O3 0.1‑4%，SiO2 0.1‑2.0%，Al2O30.1‑2.5%，SrCO30.03‑2.0%，ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉0.1‑2.0%，CuO0.01‑2%；其中(Sr0.96Ba0.04)TiO3、Ba(Li1/4Nb3/4)O3和ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。
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