[发明专利]GaN基LED外延片及其形成方法有效
| 申请号： | 201310451946.5 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104518057B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 肖怀曙;谢春林 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种GaN基LED外延片及其形成方法，该GaN基LED外延片包括衬底；和外延层，外延层位于衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层N型GaN层；位于N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T2，其中T1＞T2。本发明的GaN基LED外延片及其形成方法具有蓝移值小、发光稳定性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：N型GaN层；位于所述N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层；其中，所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T1，所述第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T2，其中T1＞T2，还包括：辅助InGaN/GaN多量子阱层，位于所述N型GaN层与所述辅助InGaN/GaN多量子阱层之间的应力释放层，所述辅助InGaN/GaN多量子阱层位于所述N型GaN层与所述第一InGaN/GaN多量子阱层之间且紧邻所述第一InGaN/GaN多量子阱层，用于调节所述GaN基LED外延片的量子阱总体周期数。
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