[发明专利]场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括提供衬底，在衬底正、背面生长氧化层；向衬底背面内注入N型离子；推阱，使注入了N型离子的区域形成场截止层；去除衬底正面的氧化层；采用IGBT正面工艺在衬底内和衬底上制备出IGBT的正面结构；在正面结构上形成正面保护层；对场截止层进行P型离子的注入，形成背面P+层；去除正面保护层，并对背面P+层进行推结；形成正面金属层和背面金属层。本发明通过生长正面的第一氧化层，并在正面结构形成后形成正面保护层，能够保护圆片的正面，令其在制造过程中不会被轻易划伤。

主权项

一种场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：提供衬底，并在衬底的正面和背面生长第一氧化层；向所述衬底背面内注入N型离子；推阱，使注入了N型离子的区域形成场截止层；去除衬底正面的所述第一氧化层；采用绝缘栅双极型晶体管正面工艺在衬底内和衬底上制备出绝缘栅双极型晶体管的正面结构；在所述正面结构上形成正面保护层；对所述场截止层进行P型离子的注入，形成背面P+层；在所述形成背面P+层之后去除正面保护层，并对所述背面P+层进行推结；形成正面金属层和背面金属层；所述向衬底内注入N型离子的步骤之后、所述推阱的步骤之前，还包括在衬底背面的所述第一氧化层上淀积形成多晶硅层的步骤；所述在正面结构上形成正面保护层的步骤之后，所述对场截止层进行P型离子的注入、形成背面P+层的步骤之前，还包括去除所述多晶硅层的步骤。