[发明专利]监测源/漏极与栅极接合处漏电流和结电容的结构在审
| 申请号： | 201310435701.3 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465615A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 余达强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种监测源/漏极与栅极接合处漏电流和结电容的结构，在监测源/漏极与栅极接合处漏电流和结电容的结构中所述半导体衬底上形成栅极单元，栅极单元与半导体器件的栅极结构相同，使监测源/漏极与栅极接合处漏电流和结电容的结构与半导体器件结构类似，从而能够准确的监测出栅极、浅掺杂区以及源/漏极对接合处漏电流以及结电容的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 栅极 接合处 漏电 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种监测源/漏极与栅极接合处漏电流和结电容的结构，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构；形成于所述半导体衬底上的栅极单元，其中，所述栅极单元包括依次形成于所述半导体衬底表面的栅介质层和栅极，形成于所述栅介质层和栅极两侧的侧墙，形成于所述半导体衬底内位于所述侧墙两侧的源/漏极和浅掺杂区，所述浅掺杂区形成于所述源/漏极内，所述源/漏极和浅掺杂区延伸至所述栅介质层的下方；形成于所述源/漏极和半导体衬底表面的连接线。
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