[发明专利]一种SiC泡沫及其制备方法有效
申请号: | 201310412069.0 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103724046A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈照峰;聂丽丽 | 申请(专利权)人: | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
主分类号: | C04B38/00 | 分类号: | C04B38/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种SiC泡沫及其制备方法。该泡沫由碳泡沫基底及附着于泡沫孔内壁的SiC薄膜和泡沫表面的SiC涂层所组成,呈现出夹芯的结构,芯部泡沫的孔隙率为70%~95%,孔径在200~2000μm之间。所述的SiC薄膜均匀附着在开孔碳泡沫的孔内壁,厚度为50nm~2μm。SiC涂层结合在泡沫表面,厚度为5~100μm,可以是致密的,也可以是疏松的。一种SiC泡沫的制备方法,其特征在于包括下述顺序的步骤:(1)将聚氨酯泡沫热解,制作碳泡沫;(2)制备SiC薄膜;(3)表面SiC涂层的制备;(4)沉积结束后冷却取出,即得到一种SiC泡沫。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic 泡沫 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种SiC泡沫,其特征在于由碳泡沫基底及附着于泡沫孔内壁的SiC薄膜和泡沫表面的SiC涂层所组成,呈现出夹芯的结构。
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