[发明专利]一种SiC泡沫及其制备方法

权利要求书

1.一种SiC泡沫，其特征在于由碳泡沫基底及附着于泡沫孔内壁的SiC薄膜和泡沫表面的SiC涂层所组成，呈现出夹芯的结构。

2.根据权利要求1所述的SiC泡沫，其特征在于所述的碳泡沫基底是一种开孔结构的泡沫，内部呈现出三维网状结构，具有大的表面积，可填充固、液、气态的多种物质。

3.根据权利要求1所述的SiC泡沫，其特征在于所述的SiC薄膜均匀附着在开孔碳泡沫的孔内壁，厚度为50nm～2μm。

4.根据权利要求1所述的SiC泡沫，其特征在于所述的SiC涂层结合在泡沫表面，厚度为5～100μm，可以是致密的，也可以是疏松的。

5.根据权利要求1所述的SiC泡沫，其特征在于所述的芯部泡沫的孔隙率为70％～95％，孔径在200～2000μm之间。

6.一种SiC泡沫的制备方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：

(1)将聚氨酯泡沫热解，制作碳泡沫；

(2)将制得的碳泡沫放入CVI炉中，通入CH₃SiCl₃和H₂，控制温度和时间，在碳泡沫的开孔内壁附着一定厚度的SiC薄膜；

(3)从CVI炉中取出泡沫硅，放入CVD炉中：以CH₃SiCl₃为先驱体原料、H₂作载气和稀释气体，采用质量流量控制器控制气体流量为60～120mL／min，通过鼓泡法把原料带入反应室，沉积温度为1050～1200℃，压力为常压，时间为40～100h；

(4)沉积结束后冷却取出，即得到一种SiC泡沫。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述的碳泡沫是通过聚氨酯泡沫加热碳化得到，具体的工艺过程分两步进行：①先在空气中、200～255℃下将聚氨酯泡沫加热；②接着在惰性气氛中、700～900℃下碳化。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述的SiC薄膜是通过CVI的方法制备的。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述的SiC涂层是通过CVD的方法获得的。