[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310401156.6 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456744A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈小川;薛海林;王磊;薛艳娜;车春城 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，该阵列基板上的双栅薄膜晶体管的制备工艺较简单，降低了阵列基板的制备成本。该阵列基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多个双栅薄膜晶体管，所述双栅薄膜晶体管包括位于所述衬底基板上的第一栅极层和与所述第一栅极层重叠的第二栅极层，所述第二栅极层与所述阵列基板的公共电极层同层设置，所述第一栅极层和所述第二栅极层的电位相等。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多个双栅薄膜晶体管，其特征在于，所述双栅薄膜晶体管包括位于所述衬底基板上的第一栅极层和与所述第一栅极层重叠的第二栅极层，所述第二栅极层与所述阵列基板的公共电极层同层设置，所述第一栅极层和所述第二栅极层的电位相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
