[发明专利]氨基杆菌H1及在氧化锰离子中的应用有效
| 申请号： | 201310397231.6 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103484401A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 姜理英;陈建孟;何智敏;晏平 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C12N1/20 | 分类号： | C12N1/20;C02F3/34;C12R1/01;C02F101/20 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;王兵 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一株氨基杆菌H1（Aminobacter sp.H1）及在氧化锰离子中的应用，所述应用为：将氨基杆菌H1经种子培养后的菌悬液以体积比1%的接种量接种至含铁PYCM培养液中，并向所述含铁PYCM培养液中加入MnCl2，所述MnCl2的加入量以含铁PYCM培养液体积计0.25～50mmol/L，于25～35℃、160r/min振荡箱中培养5～7d，从而将锰离子氧化为氧化锰；本发明Aminobacter sp.H1取自成熟锰砂，是除锰滤池中常见的优势菌种，能适应复杂的环境条件，因而该菌株在水体和固体基质中氧化除Mn2+的应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 氨基 杆菌 h1 氧化锰 离子 中的 应用 | ||
【主权项】：
一株氨基杆菌H1（Aminobacter sp.H1），保藏于中国典型培养物保藏中心，保藏编号：CCTCC NO：M2012296，保藏日期2012年7月19日，保藏地址为中国武汉武汉大学，邮编：430072。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学，未经浙江工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310397231.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
