[发明专利]CVD前体有效
| 申请号： | 201310392992.2 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN103467506A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周晓兵 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过热聚合反应性气体混合物二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气体而生产含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些薄膜适用于作为半导体器件中的介电层，钝化涂层，防护涂层，隔板，衬里和/或应激体。 | ||
| 搜索关键词： | cvd | ||
【主权项】：
一种二氨基硅杂环丁烷，选自二(乙氨基)硅杂环丁烷和二(吡咯烷基)硅杂环丁烷。
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