[发明专利]一种带隙基准电路有效

专利信息
申请号: 201310388813.8 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN103440015A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 杨守军;王振彪 申请(专利权)人: 厦门意行半导体科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 福建炼海律师事务所 35215 代理人: 许育辉
地址: 361000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种带隙基准电路,包括电源电压Vcc、带隙核电路和电流源,电流源包括负温度系数电流生成单元和正温度系数电流生成单元,负温度系数电流生成单元包括NPN晶体管Q5、电阻R7、电阻R4和负温度系数电压生成模块,电阻R7一端连接电源电压Vcc,另一端连接NPN晶体管Q5的集电极,NPN晶体管Q5的基极经负温度系数电压模块与带隙核电路的输入端连接,其发射极经电阻R4与带隙核电路的输入端连接;正温度系数电流生成单元的输入端连接电源电压Vcc端,其输出端连接NPN晶体管Q5的基极。本发明的有益之处在于,不再需要电流镜及启动电路,结构小巧,原理简单,减少制造掩膜的工艺,降低了产品成本。
搜索关键词: 一种 基准 电路
【主权项】:
一种带隙基准电路,包括电源电压Vcc、带隙核电路和电流源,其特征在于,所述电流源包括负温度系数电流生成单元和正温度系数电流生成单元,所述负温度系数电流生成单元包括NPN晶体管Q5、电阻R7、电阻R4和负温度系数电压生成模块,所述电阻R7一端连接电源电压Vcc,另一端连接NPN晶体管Q5的集电极,所述NPN晶体管Q5的基极经负温度系数电压模块与带隙核电路的输入端连接,其发射极经电阻R4与带隙核电路的输入端连接;所述正温度系数电流生成单元的输入端连接电源电压Vcc端,其输出端连接NPN晶体管Q5的基极。
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