[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310386364.3 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103489974A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 吴克敏;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底以及在衬底上依次生长的未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层由若干个量子阱层和若干个量子垒层依次交替层叠而成，外延片还包括在n型层与多量子阱层之间自组装生长的纳米杆层，纳米杆层包括在n型层上阵列形式排列的n型GaN纳米杆。本发明通过上述方案，衬底与未掺杂的GaN层之间以及未掺杂的GaN层与n型层之间由于晶格失配导致的位错，在n型GaN纳米杆不断形成的自由表面终止，因此多量子阱层和p型层的位错密度低，多量子阱层和p型层的质量高，GaN基发光二极管外延片发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片，所述外延片包括衬底以及在所述衬底上依次生长的未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层由若干个量子阱层和若干个量子垒层依次交替层叠而成，其特征在于，所述外延片还包括在所述n型层与所述多量子阱层之间自组装生长的纳米杆层，所述纳米杆层包括在所述n型层上阵列形式排列的n型GaN纳米杆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310386364.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管及其制造方法
- 下一篇：内置湿式制动轮边装配式驱动桥
