[发明专利]确定静电卡盘的目标台面结构的方法在审
申请号: | 201310362270.2 | 申请日: | 2006-11-01 |
公开(公告)号: | CN103531518A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 罗伯特·斯蒂格 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;G01R1/067 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种通过配置卡盘的绝缘层上的台面结构的分布密度来修改静电卡盘热传导系数分布的方法。进一步提供通过调整或者初始制造该卡盘的绝缘层的台面结构的高度来修改静电卡盘的电容分布的方法。通过使用热通量探针可测量给定位置的热传递系数,而通过使用电容探针可测量给定位置的电容。探针设置在卡盘的绝缘表面上并可在单个测量中包括多个台面。纵贯该卡盘进行的多个测量提供热传导系数分布或者电容分布,从中确定目标台面分布密度和目标台面高度。可以机械的方式获得目标密度和高度;通过机械方式调整现存台面的分布密度得到目标密度;以及通过分别在计划的或者现存的台面的周围产生或加深低的区域来得到目标高度。这可使用任何已知的可控材料去除技术来完成,如在X-Y工作台上的激光加工或喷砂加工。 | ||
搜索关键词: | 确定 静电 卡盘 目标 台面 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种通过如下方法制造的静电卡盘:在该静电卡盘的绝缘层的暴露表面上的多个位置进行多个局部测量;利用该测量确定该目标台面结构;在该绝缘层的暴露表面内制造台面图案以便该台面高度对应于该目标台面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造