[发明专利]确定静电卡盘的目标台面结构的方法

权利要求书

1.一种通过如下方法制造的静电卡盘：

在该静电卡盘的绝缘层的暴露表面上的多个位置进行多个局部测量；

利用该测量确定该目标台面结构；

在该绝缘层的暴露表面内制造台面图案以便该台面高度对应于该目标台面结构。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该目标台面结构通过目标热传递系数分布确定。

3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该目标台面结构通过在一个或多个位置减小台面接触面积来获得。

4.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该测量使用热通量探针进行。

5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该目标台面结构由目标电容分布确定。

6.根据权利要求5所述的静电卡盘，其中该目标电容分布通过增加台面结构的高度来获得。

7.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该测量使用电容探针进行。

8.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该绝缘层的表面包括台面图案，该方法进一步包括去除绝缘材料以获得对应于该目标台面结构的台面接触面积。

9.根据权利要求4所述的静电卡盘，其中该绝缘层的表面包括台面图案，并且至少1个、至少3个、至少5个或者至少10个台面包括在该热通量探针测量中。

10.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该目标台面结构包括的台面的横截面形状为椭圆形、环形和多边形。

11.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该目标台面结构包括横截面最大尺寸为大约0.1mm至大约10mm的台面。

12.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该目标台面结构包括在台面之间大约0.5mm到大约5mm的间距。

13.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该测量在设置成网格图案的多个位置进行。

14.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中该静电卡盘包括适于与温度控制单元相配合以控制该卡盘温度的流体通道。

15.根据权利要求9所述的静电卡盘，其中该卡盘的绝缘层小于5mm厚。

16.根据权利要求4所述的静电卡盘，其中该热通量探针向该绝缘体表面施加10Torr到100Torr的力。

17.根据权利要求4所述的静电卡盘，其中该多个测量在真空室中进行，该真空室回填有2Torr到200Torr压力的氦气。

18.根据权利要求17所述的静电卡盘，其中通过数控定位设备移动该探针，从而获得该卡盘表面的热传递系数分布。

19.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中通过特形铣、激光加工和/或喷砂处理来制造该目标台面结构。

20.根据权利要求1所述的静电卡盘，进一步包括通过特形铣、激光加工和/或喷砂定制现存的台面图案以对应于目标台面结构。

21.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中在该绝缘层暴露表面中的测量区域之间的区域的深度逐渐过渡。

22.根据权利要求7所述的静电卡盘，其中该绝缘层的表面包括台面图案，并且至少1个、至少3个、至少5个或者至少10个台面包括在该电容探针测量中。

23.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中该卡盘位于等离子处理室的内部内。

24.使用权利要求1的静电卡盘处理半导体晶片的方法，包括在该卡盘上夹紧该半导体晶片以及等离子处理该半导体晶片。

25.一种探针，其包括加热器、热通量传感器和硅片，其中该探针的横截面积的近似最大尺寸为0.5″、1.0″、1.5″或者2.0″。