[发明专利]一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法有效

专利信息
申请号: 201310340867.7 申请日: 2013-08-07
公开(公告)号: CN103400899A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 黄信二 申请(专利权)人: 研创应用材料(赣州)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/04;C23C14/34;C23C14/06;C22C1/02
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 杨志宇
地址: 341000 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法,使用工作气氛压力大于10mtorr,及镀率小于10nm/mins低功率溅镀,使得前驱物形成多孔性的薄膜,并使薄膜表面粗糙度大大降低(<100nm),达到了最佳平坦度,避免了薄膜与基板产生剥离和裂痕;且可以使硒化或硫化后的吸收层(CIGS)表面粗度降低,有利于后续缓冲层及光窗层的制作,明显提升了CIGS薄膜太阳能电池的效率。
搜索关键词: 一种 制备 多孔 性前趋层 吸收 薄膜 平坦 方法
【主权项】:
一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法,其特征为:首先将Cu、Ga材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼,然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中,待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用CuGa靶材备用;另外将In材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼,然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中,待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用In靶材备用;然后以无碱玻璃为基板,接着把所需镀着玻璃基材、CuGa靶材、In靶材放入溅镀腔体中,先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜,然后溅镀第二层1000nm厚的CIG吸收层前趋物薄膜,接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化,然后取出试片,即得。
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