[发明专利]用于表面安装模块的扩散阻挡层在审

专利信息
申请号: 201310324406.0 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN103579136A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: A.V.高达;P.A.麦康奈李;赵日安;S.S.乔罕 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 肖日松;谭祐祥
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及用于表面安装模块的扩散阻挡层。公开了一种用于减少水分和气体进入的表面安装封装结构。该表面安装结构包括子模块,该子模块具有介电层、附连到介电层上的半导体装置、与半导体装置电联接的一级金属互连结构、和与一级互连电联接且形成在介电层上的二级I/O连接,其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路上。子模块的半导体装置附连到衬底结构上,其中介电材料在介电层与衬底结构之间定位以填充表面安装结构中的间隙。扩散阻挡层邻近一级和二级I/O连接施加在子模块上,并且向下延伸到衬底结构,以减少水分和气体从周围环境进入表面安装结构。
搜索关键词: 用于 表面 安装 模块 扩散 阻挡
【主权项】:
 一种表面安装结构,包括:子模块,所述子模块包括:介电层;附连到所述介电层上的至少一个半导体装置,其中,所述至少一个半导体装置中的每一个包括由半导体材料组成的衬底;与所述至少一个半导体装置电联接的一级金属互连结构,所述金属互连结构延伸穿过贯穿所述介电层形成的通孔,从而连接到所述至少一个半导体装置上;以及与所述一级金属互连结构电联接并且形成在所述介电层上在与所述至少一个半导体装置相对的一侧的二级输入/输出(I/O)连接,所述二级I/O连接构造成将所述子模块连接到外部电路上;具有第一表面和第二表面的多层衬底结构,其中,所述子模块的至少一个半导体装置附连到所述多层衬底的第一表面上;介电材料,所述介电材料在所述介电层与所述多层衬底结构的第一表面之间定位并且至少部分地围绕所述子模块的至少一个半导体装置;以及扩散阻挡层,所述扩散阻挡层邻近所述一级和二级I/O连接施加在所述子模块上,并且向下延伸到所述多层衬底结构,所述扩散阻挡层构造成减少水分和气体从周围环境进入所述表面安装结构。
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