[发明专利]一种增加电感的表面面积的方法在审
| 申请号： | 201310320984.7 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103390543A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种增加电感的表面面积的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的硅片，其中第一区域包括第一氧化物层和第二氧化物层的叠层，第二区域包括第一氧化物层、中间金属层和第二氧化物层的叠层；在第二区域中刻蚀电路引线孔的同时，在第一区域的第二氧化物层中刻蚀长条形引线槽；在电路引线孔中沉积钨的同时，在长条形引线槽的底部和侧壁上形成钨层；在对钨层进行化学机械研磨之后沉积铝从而在第二氧化物层上形成铝层，同时对所述长条形引线槽进行填充，以使得被所述长条形引线槽隔开的所述第二氧化物层由于对所述长条形引线槽的填充而连接，其中所述长条形引线槽在所述第二氧化物层中形成的间隙不被完全填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 电感 表面 面积 方法 | ||
【主权项】：
一种增加电感的表面面积的方法，其特征在于包括：第一步骤：提供具有第一区域和第二区域的硅片，其中第一区域包括第一氧化物层和第二氧化物层的叠层，第二区域包括第一氧化物层、中间金属层和第二氧化物层的叠层；第二步骤：在第二区域中刻蚀电路引线孔的同时，在第一区域的第二氧化物层中刻蚀长条形引线槽；第三步骤：在电路引线孔中沉积钨的同时，在长条形引线槽的底部和侧壁上形成钨层；第四步骤：在对钨层进行化学机械研磨之后沉积铝从而在第二氧化物层上形成铝层，同时对所述长条形引线槽进行填充，以使得被所述长条形引线槽隔开的所述第二氧化物层由于对所述长条形引线槽的填充而连接，其中所述长条形引线槽在所述第二氧化物层中形成的间隙不被完全填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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