[发明专利]GaN基LED外延片及其形成方法有效
| 申请号： | 201310317981.8 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104347763B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种GaN基LED外延片及其形成方法，其中该GaN基LED外延片包括衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型GaN层；形成在N型GaN层之上的量子阱层；形成在量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；形成在低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及形成在电子阻挡层之上的P型GaN层。本发明的GaN基LED外延片及其形成方法具有驱动电压低，内量子效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层之上的量子阱层；形成在所述量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在所述第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层，其中，所述低温P型GaN层的生长温度为800‑900℃；形成在所述低温P型GaN层之上的电子阻挡层；形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层；形成在所述电子阻挡层与所述P型GaN层与之间的第二超晶格结构层。
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