[发明专利]薄膜晶体管制备方法和系统、以及薄膜晶体管、阵列基板

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，包括：依次形成半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜、源漏电极薄膜，以及第一图案化的光刻胶层；进行第一次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第二次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜；对所述光刻胶层进行灰化处理，去掉所述沟道区域上的光刻胶层；对灰化处理后的光刻胶层进行烘烤；进行第三次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第四次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜。本发明提供的方法制备的薄膜晶体管内没有钻蚀的问题。

主权项

一种薄膜晶体管制备方法，所述方法包括形成所述薄膜晶体管的源漏电极图形、掺杂半导体层图形和半导体层图形的步骤；其特征在于，所述形成所述薄膜晶体管的源漏电极图形、掺杂半导体层图形和半导体层图形的步骤包括：依次形成半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜、源漏电极薄膜，以及第一图案化的光刻胶层；所述第一图案化的光刻胶层覆盖所述薄膜晶体管的源漏电极图形区域和沟道区域；进行第一次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第二次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜，所述半导体层图形形成；对所述光刻胶层进行灰化处理，去掉所述沟道区域上的光刻胶层；对灰化处理后的光刻胶层进行烘烤；进行第三次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜，所述源漏电极图形形成；进行第四次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜，所述掺杂半导体层图形形成。