[发明专利]光电二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310301655.8 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103545396B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | L·E·尤里斯;G·M·格朗杰;K·J·戴维斯;N·L·阿波哥;P·D·布瑞维尔;B·诺守 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,张全信 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的名称为光电二极管及其制造方法。用于制造光电二极管(10)的方法，其包括下述步骤提供基底；溶液沉积量子纳米材料层(14)在基底上，所述量子纳米材料层(14)包括具有配体涂层(24)的许多量子纳米材料(22)；和施加薄膜氧化物层(16)在量子纳米材料层(14)上。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于制造光电二极管(10)的方法，其包括下述步骤：提供基底，所述基底包括锗(12)；掺杂所述基底；使所述基底经历硫钝化；在所述硫钝化之后，清洁所述基底；溶液沉积量子纳米材料层(14)在所述基底上，所述量子纳米材料层(14)包括多个量子纳米材料(22)，所述多个量子纳米材料(22)的每个量子纳米材料(22)包括核心，其包括锡‑碲化物和铅‑锡‑碲化物的至少一种，其被调谐以吸收中波长红外线和长波长红外线的带宽内的辐射；和在所述核心上的配体涂层(24)，其包括金属硫属元素化物络合物，所述金属硫属元素化物络合物包括锡‑硫化物、锡‑硒化物和锡‑碲化物的至少一种，其中所述配体涂层(24)使用配体交换反应施加至所述核心以替换所述核心上的初始涂层；和施加薄膜氧化物层(16)在所述量子纳米材料层(14)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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