[发明专利]一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法，该方法先在硅片背面经抛光后制备致密的Al2O3和SiNx双层叠层钝化膜，并退火处理获得较好的钝化性能，取代常规铝背场P+层的场钝化方式；在镀正面SiNx膜前，采用恰当浓度酸性清洗液清洗，提高前表面的钝化效果；然后在电池背面按照设计好的图形开膜，制备出电极局域接触窗口；最后印刷铝浆使铝浆填充进电极窗口，通过烧结形成接触效果较好的铝硅合金背电极。本发明制备的电池可以提高背面钝化效应和光的内背反射率，即提高开路电压和短路电流，从而提高电池效率。

主权项

一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法，其特征是，具体步骤为：    （1）选用P型单晶硅片作衬底，在衬底上制绒，然后在硅片正面和背面制备P‑N结；（2）采用碱性腐蚀液去除背面P‑N结的同时实现背面抛光；（3）在硅片背面镀5 nm～30nm 厚的三氧化二铝钝化膜，对镀膜后的硅片经400℃～600℃的高温退火处理20 min～60min，实现背面钝化； （4）在硅片的三氧化二铝膜层上镀氮化硅膜，所述氮化硅膜厚度为100 nm～180nm；（5）将镀有三氧化二铝和氮化硅双层钝化膜后的硅片在质量分数为0.5%～1.5%的HF溶液中清洗5S～20S，然后在硅片正面镀氮化硅减反射膜，所述氮化硅减反射膜的膜层厚度为60nm‑90nm；（6）采用激光器按照设定好的线状开膜图形开膜； （7）按顺序依次印刷背电极、铝浆和银浆，在烧结炉中烧结，形成铝硅合金层；所述烧结炉的烧结温度为840℃～860℃。