[发明专利]一种LPCVD工艺生产环境的控制方法及其控制系统

摘要

本发明提供一种LPCVD工艺生产环境的控制方法，包括：步骤S1，所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息；步骤S2，所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息，并根据所述温度信息和真空度信息计算得出反馈控制增益参数；步骤S3，所述反馈控制装置根据所述温度信息和对应的反馈控制增益参数生成温度控制信号，根据所述真空度信息和对应的反馈控制增益参数生成真空度控制信号，并发送至所述温度调节装置和真空度调节装置；步骤S4，所述温度调节装置根据所述温度控制信号调节所述反应腔室内的温度；所述真空度调节装置根据所述真空度控制信号调节所述反应腔室内的真空度。

主权项

一种LPCVD工艺生产环境的控制方法，其特征在于，所述控制方法应用于LPCVD工艺生产环境的控制系统，所述控制系统包括密闭的反应腔室、反馈控制装置、G个温度控制子系统以及H个真空度控制子系统，G、H均为正整数；所述温度控制子系统包括温度传感器和与之对应的温度调节装置，所述真空度控制子系统包括真空度传感器和与之对应的真空度调节装置；所述控制方法包括：步骤S1，所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息；步骤S2，所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息，并根据所述温度信息和真空度信息计算得出反馈控制增益参数；步骤S3，所述反馈控制装置根据所述温度信息和对应的反馈控制增益参数生成温度控制信号，并发送至所述温度调节装置；所述反馈控制装置根据所述真空度信息和对应的反馈控制增益参数生成真空度控制信号，并发送至所述真空度调节装置；步骤S4，所述温度调节装置根据所述温度控制信号调节所述反应腔室内的温度；所述真空度调节装置根据所述真空度控制信号调节所述反应腔室内的真空度。