[发明专利]一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法有效
| 申请号： | 201310291908.8 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103346074A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 傅强;董道宴;张崇超 | 申请（专利权）人： | 九州方园新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443300 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅电池片的生产技术，具体涉及一种晶体硅电池片扩散制程领域。具体方法为将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600-900s；分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气；炉内温度恒温到860℃，同时通入氧气、氮气、磷源；逐渐缓慢降低炉内温度至852℃，同时通入磷源、氧气、氮气，时间为800s；再次直接将炉管温度降低至800℃，同时通入氧气、氮气，300s后退火；退火后，通入氮气后出舟。本发明与传统工艺方法相比电池转换至少提高0.25个百分点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 梯度 扩散 法制 晶体 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法，采用梯度扩散法在P型晶体硅表面进行高温掺杂磷得到N型晶体硅，形成P‑N结，其特征在于：包括以下步骤，1）将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600‑900s；2）分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气；3）炉内温度恒温到860℃，同时通入氧气、氮气、磷源；4）分四步降低炉内温度，从860℃逐渐降低至852℃，同时通入磷源、氧气、氮气，时间为800s；5）直接将炉管温度从852℃降低至800℃，同时通入氧气、氮气，300s后退火；6）退火后，通入氮气，800s后出舟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
