[发明专利]原位测量固-液相界面电化学反应的TEM样品台无效
申请号: | 201310283755.2 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103411982A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 吴幸;余开浩;徐涛;孙立涛 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01N23/00 | 分类号: | G01N23/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王华 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种原位测量固-液相界面电化学反应的TEM样品台,包括堵片、设在该堵片上的多个独立金属电极和液体腔;其中两个独立金属电极上设有异质结发光源;所述液体腔内具有两个用通道连通的空腔,空腔内部可设置外加电场电极,液体腔上还设置透射电镜观察窗。本发明解决了目前透射电子显微镜(TEM)样品台无法进行固-液界面表征测量的技术难题,从而实现研究材料,特别是在外加电场、光场下纳米结构材料和性质之间关系的目的。 | ||
搜索关键词: | 原位 测量 界面 电化学 反应 tem 样品 | ||
【主权项】:
一种原位测量固‑液相界面电化学反应的TEM样品台,其特征在于:包括堵片(1)、设在该堵片(1)上的多个独立金属电极(2)和液体腔;其中两个独立金属电极(2)上设有异质结发光源(4);所述液体腔垂直于堵片延伸,包括顶部件(5)、底部件(6)和隔层(8);所述顶部件(5)和底部件(6)的外表面通过化学气相法生长有低应力氮化硅膜,使用半导体工艺在生长了低应力氮化硅膜的顶部件(5)上形成两个沿顶部件(5)的厚度方向贯通的空洞(5‑1、5‑2),所述两个空洞(5‑1、5‑2)沿垂直于堵片(1)的方向间隔设置;顶部件(5)设置在底部件(6)上,顶部件(5)与底部件(6)的周边结合面之间夹设有隔层(8),从而在空洞(5‑1、5‑2)之间形成通路(14);还包括盖在所述两个空洞(5‑1、5‑2)的上方的高透光性的顶盖(11);顶部件(5)、底部件(6)、隔层(8)以及顶盖(11)一起配合,并使用环氧树脂固化剂粘接封装形成液体腔。
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