[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310277985.8 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103346162A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;叶菁 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；在所述晶圆的正面形成触蚀刻停止层，所述触蚀刻停止层的材料为SiN，形成所述触蚀刻停止层的工艺条件为：射频功率：2000W～3000W；间距：1000mil～2500mil；压力：4.1Torr～4.3Torr；温度：300℃～380℃。由此所形成的背照式CMOS影像传感器中的触蚀刻停止层具有较高的反射率，从而能够较好的将照射其上的光线反射进光电二极管中，提高了量子转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；在所述晶圆的正面形成触蚀刻停止层，所述触蚀刻停止层的材料为SiN，形成所述触蚀刻停止层的工艺条件为：射频功率：2000W～3000W；间距：1000mil～2500mil；压力：4.1Torr～4.3Torr；温度：300℃～380℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技（上海）有限公司，未经豪威科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310277985.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合杀菌灭藻剂
- 下一篇：与苯基硼酸基特异性结合的寡肽序列
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
