[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模来制造光掩模的方法有效
| 申请号： | 201310273623.1 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103529642A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 南基守;姜亘远;梁澈圭;李钟华;张圭珍 | 申请（专利权）人： | 株式会社S&S技术 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国大邱广*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明有关于一种具有光屏蔽层以及硬掩模膜的空白掩模，所述光屏蔽层包含光阻挡层以及抗反射层。所述光阻挡层以及所述抗反射层通过组合由MoSi化合物形成的层与由MoTaSi化合物形成的层而形成。因此，所述空白掩模实现32纳米或更小的图案的形成，这是因为所述光屏蔽层可形成为200埃到700埃的厚度且形成具有对应于所述图案的分辨率的图案逼真度的光掩模。所述光屏蔽层具有在193纳米的曝光波长下的2.0到4.0的光学密度、耐化学性以及用于缺陷修补的充足工艺裕量。另外，硬掩模膜使用包含锡和铬的化合物而形成为20埃到50埃的厚度，进而降低硬掩模膜的蚀刻速率。因此，抗蚀剂膜可形成为薄膜，进而制造高分辨率空白掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 空白 使用 掩模来 制造 光掩模 方法 | ||
【主权项】：
一种空白掩模，其特征在于其在透明衬底上，包含光屏蔽层以及硬掩模膜，其中所述硬掩模膜包括锡、铬以及钽中的至少一者。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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