[发明专利]基于HMM校正与神经网络延拓的EMD端点效应抑制方法在审

专利信息
申请号: 201310256239.0 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN103440226A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 孟宗;闫晓丽;樊凤杰 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: G06F17/10 分类号: G06F17/10;G06N3/02
代理公司: 石家庄一诚知识产权事务所 13116 代理人: 李合印
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种基于HMM校正与神经网络延拓的EMD端点效应抑制方法,该方法包括以下步骤:A、利用传感器获得信号;B、利用神经网络延拓算法对信号端点内部分已知数据进行估计,计算估计误差,并对端点外数据进行预测;C、利用HMM算法对估计误差建立模型,利用模型的参数预测所用的延拓算法的延拓误差;D、利用预测误差数据对延拓数据进行校正获得最终延拓数据;E、对延拓后的信号进行经验模式分解,抛弃两端延拓数据,得到原信号的IMF分量;F、通过分析端点抑制后的IMF分量提取信号特征。本发明可以对神经网络延拓算法进行校正,降低数据延拓方法存在的误差,有效的抑制经验模式分解的端点效应。
搜索关键词: 基于 hmm 校正 神经网络 延拓 emd 端点 效应 抑制 方法
【主权项】:
1.一种基于HMM校正和神经网络延拓的EMD端点效应抑制方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:A、利用传感器采集获得振动信号;B、利用神经网络延拓算法对信号端点内部分已知数据进行估计,计算估计误差,并对端点外数据进行预测;C、利用HMM算法对估计误差建立模型,利用模型的参数预测所用的延拓算法的延拓误差;D、利用预测误差数据对延拓数据进行校正获得最终延拓数据,利用得到的预测误差序列对预测延拓序列进行校正,校正公式为:Y^t=y^t+e^t]]>其中为经HMM校正后的延拓序列,t为时间;E、对延拓后的信号进行经验模式分解,抛弃两端延拓数据,得到原信号的IMF分量;F、通过分析端点抑制后分解的IMF分量提取信号特征。
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