[发明专利]一种中空结构的高电活性纳米银/聚吡咯复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310254567.7 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103408933A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郝凌云;张小娟;叶原丰;朱锴;潘青青;吴祭民;徐梦;金杰 | 申请（专利权）人： | 金陵科技学院 |
| 主分类号： | C08L79/04 | 分类号： | C08L79/04;C08K3/08;C08G73/06;C08J9/26 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;吕鹏涛 |
| 地址： | 211169 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中空结构的高电活性纳米银/聚吡咯复合材料的制备方法，将含有添加剂的纳米级聚（苯乙烯-丙烯酸）乳液分散在水中形成胶体，再加入银前驱体，于20℃～30℃下进行紫外辐照，得到棕黑色固体PSA/Ag材料；以所述PSA/Ag材料为载体，以铁盐为引发剂，加入添加剂以及吡咯单体，在0～50℃下反应6～48h，反应终止后分离产物，将分离产物干燥后置于四氢呋喃溶液中浸泡12～48h，得到中空结构的高电活性Ag/PPy纳米材料。本发明所得中空材料电化学活性高，且工艺过程操作简便、成本低廉、无污染，因而在催化、光电、电磁、生物领域具有极大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 结构 活性 纳米 吡咯 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中空结构的高电活性纳米银/聚吡咯复合材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将含有添加剂的纳米级聚（苯乙烯‑丙烯酸）乳液分散在水中形成胶体，再加入银前驱体，于20℃～30℃下进行紫外辐照，得到棕黑色固体PSA/Ag材料；（2）以所述PSA/Ag材料为载体，以铁盐为引发剂，加入添加剂以及吡咯单体，在0～50℃下反应6～48h，反应终止后分离产物，将分离产物干燥后置于四氢呋喃溶液中浸泡12～48h，得到中空结构的高电活性Ag/PPy纳米材料。
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