[发明专利]改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法

摘要

本发明涉及CMOS图像传感器领域，具体涉及一种改善重叠背照式CMOS图像传感器图像信号质量的方法，通过两次或两次以上的离子注入工艺，在结合扩散区内形成两个掺杂浓度不同的离子注入区，且上方的离子注入区的离子掺杂浓度大于下层离子注入区的离子掺杂浓度，进而在结合扩散区形成从上层指向下层的电场，使得光电二极管中的光电子更快通过结合扩散区进入浮动扩散点，进而提高图像成像质量。

主权项

一种改善图像信号质量的方法，应用于重叠背照式CMOS图像传感器的制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有外延层的半导体衬底，且该外延层中设置有光电二极管区，所述光电二极管区与所述衬底之间形成有一结合扩散区；采用两次离子注入工艺于所述结合扩散区自下而上依次形成第一离子注入区及第二离子注入区后，继续进行后续的制备工艺；其中，所述第二离子注入区位于第一离子注入区的顶部，且第二离子注入区的离子掺杂浓度大于第一离子注入区的离子掺杂浓度，以在所述结合扩散区形成N型梯度，进而形成所述第二离子注入区指向第一离子注入区的电场，从而使光电二极管中的电子更快通过结合扩散区域进入像素电路区。