[发明专利]用于增强太阳光利用率的表面修饰基材及修饰方法和应用有效
申请号: | 201310253057.8 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103346209A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 蔡雪刁;刘生忠;冯江山 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人: | 高雪霞 |
地址: | 710062 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种用于增强太阳光利用率的表面修饰基材,其表面由一级修饰单元组成,所述一级修饰单元为类金字塔结构,一级修饰单元的底面是边数为3~8的类多边形,类多边形的边长为600nm~6μm,一级修饰单元的高度为100nm~2μm。本发明采用氟化物与无机酸的混合溶液对玻璃表面进行修饰,修饰后的玻璃对可见光及近红外光的单面增透率高达2.0%,采用该方法对单结非晶硅电池玻璃盖板表面进行修饰,修饰后电池的光转化效率可提高1.15%。本发明表面修饰基材的原料价廉易得,修饰方法操作简单,表面修饰后的基材可用于晶硅电池、硅薄膜电池(单结/多结)、碲化镉电池、铜铟镓硒电池、有机聚合物电池等太阳能电池,适合工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 用于 增强 太阳光 利用率 表面 修饰 基材 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种用于增强太阳光利用率的表面修饰基材,其特征在于:该基材的单面或双面由一级修饰单元组成,所述一级修饰单元为类金字塔结构,一级修饰单元的底面是边数为3~8的类多边形,类多边形的边长为600nm~6μm,一级修饰单元的高度为100nm~2μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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