[发明专利]一种芯片表面的原子囚禁及光学晶格方法有效
| 申请号： | 201310252770.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103337271A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王正岭;王艳丽;姜文帆 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G21K1/00 | 分类号： | G21K1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 卢亚丽 |
| 地址： | 212013 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片表面的原子囚禁及光学晶格方法，涉及中性冷原子激光囚禁及光学晶格领域。该方法是用激光照射镀膜面朝上放置的镀膜倒金字塔型棱镜的侧面，全反射引起的消逝波在金属膜表面激发出近场表面等离子激元，利用近场表面等离子激元及其干涉光场对装载进入的中性冷原子分别实现有效囚禁、一维原子表面光学晶格和二维原子表面光学晶格。本发明可实现不同种类的中性冷原子的芯片表面的原子囚禁和原子表面光学晶格，原理简单，操作方便，应用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 表面 原子 囚禁 光学 晶格 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片表面的原子囚禁及光学晶格方法，其特征在于,激光照射镀膜面朝上放置的镀膜倒金字塔型棱镜的侧面，全反射引起的消逝波在金属膜表面激发出近场表面等离子激元，利用近场表面等离子激元及其干涉光场对装载进入的中性冷原子分别实现有效囚禁、一维原子表面光学晶格和二维原子表面光学晶格。
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