[发明专利]一种氮化镓基LED外延片的生长方法在审
| 申请号： | 201310248982.1 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN104241473A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 聂虎臣;叶明发;涂逵 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基LED外延片的生长方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上生长掺Al的GaN缓冲层，其中Al组分摩尔比小于3%；在所述掺Al的GaN缓冲层上生长铟镓铝氮多层结构，其中所述的铟镓铝氮多层结构包括N型GaN层，P型GaN层以及位于N型层和P型层之间的多量子阱发光层。本发明通过在衬底与外延层之间插入掺Al的GaN缓冲层，可改善GaN缓冲层的热膨胀系数，缓解蓝宝石衬底与GaN外延层的晶格失配和热失配带给GaN外延层的应力，使外延层生长更平坦，从而提高LED外延片的发光波长均匀性、量子阱效率以及发光亮度的集中度等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基LED外延片的生长方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上生长掺Al的GaN缓冲层； 在所述掺Al的GaN缓冲层上生长铟镓铝氮多层结构，其中所述铟镓铝氮多层结构包括N型GaN层，P型GaN层以及位于N型层和P型层之间的多量子阱发光层；其特征在于所述掺Al的GaN缓冲层中Al组分的摩尔比小于3%。
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