[发明专利]一种锗纳米管的制备方法

摘要

一种锗纳米管的制备方法，本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法中设备复杂，操作困难，需要催化剂和载气，室温下无法实现的问题。方法：一、制备工作电极；二、制备电解液；三、还原锗；四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法，实现了常温下制备半导体锗纳米管，离子液体可回收利用，工艺简单，操作方便，对环境友好，安全性高。本发明用于制备锗纳米管。

主权项

一种锗纳米管的制备方法，其特征在于一种锗纳米管的制备方法，具体是按照以下步骤进行的：一、选取直径为13mm～25mm、厚度为6μm～11μm，孔径为200nm～3μm的聚碳酸酯多孔膜，采用离子溅射将聚碳酸酯多孔膜的暗面溅射厚度为160nm～500nm的金，制得一端镀金的电沉积锗纳米管的工作电极，并采用导电浆液将工作电极的镀金端贴合在导电基板上；二、在H2O和O2含量均小于1ppm的条件下，将GeCl4加入到离子液体1‑甲基‑3‑乙基咪唑双三氟磺酸胺盐溶剂中，溶解摇匀后静置24h，配制得到浓度为0.01～0.5mol/L的电解液；其中GeCl4的纯度不低于99.99%；三、在H2O和O2含量均小于1ppm的条件下，将银丝作为参比电极、铂片作为对比电极，并将参比电极、对比电极和步骤一得到的工作电极放入步骤二得到的电解液中，控制电压为‑2.2～‑1.4V，沉积时间为20min～120min，得到的填充锗纳米管的行径蚀刻聚碳酸酯膜；四、用异丙醇清洗步骤三沉积后的得到的填充锗纳米管的行径蚀刻聚碳酸酯膜的表面，晾干，再放入二氯甲烷溶液或者三氯甲烷溶液中，溶解时间为30～60min，得到锗纳米管。