[发明专利]用于在碳注入期间延长离子源寿命和改善离子源性能的方法无效
| 申请号： | 201310243476.3 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103578902A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | A.K.辛哈;L.A.布朗;S.坎珀;N.J.巴索姆;D.斯波勒德 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司;瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张萍;李炳爱 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于在碳注入期间延长离子源寿命和改善离子源性能的新型方法和系统。特别是，碳离子注入工艺包括利用包含一氧化碳和一种或更多种由式CxFy(其中x≥1且y≥1)表示的含有碳的含氟气体的掺杂物气体混合物。至少一种含有碳的含氟气体以基于掺杂物气体混合物的体积计约3-12体积百分比(vol%)包含在混合物中。氟离子、自由基或其组合由电离的掺杂物气体混合物释放并且沿着反射电极、提取电极和室的表面中的至少一个与基本上由碳衍生的沉积物反应以减少沉积物的总量。这样，单个掺杂物气体混合物能够提供碳离子并且移除和消除在碳注入期间典型地遇到的宽范围的成问题的沉积物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 注入 期间 延长 离子源 寿命 改善 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种用于延长离子注入机的离子源寿命的方法，其包括：将掺杂物气体混合物引入离子源室中，所述掺杂物气体混合物包含一氧化碳和一种或更多种由式CxFy表示的含有碳的含氟气体，其中x ≥1且y ≥ 1，其中所述含有碳的含氟气体为有效量； 从所述含有碳的含氟气体释放氟的至少一部分以与沿着所述离子源室的表面所含的沉积物反应，所述沉积物基本上由碳衍生并且其进一步的特征在于不存在氧化物沉积物；以及 减少所述沉积物的量以延长所述离子源的使用寿命。
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