[发明专利]背离率的计算方法和二次离子质谱分析方法有效
| 申请号： | 201310232003.3 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104237279B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 史江北;李震远;郑晓刚;李爱民;刘竞文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/225 | 分类号： | G01N23/225 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背离率的计算方法及二次离子质谱分析方法。包括提供待测样品和标准样品，并将所述待测样品和标准样品整合在同一坐标系中；在保证区域面积和曲率不变的情况下，对所述待测样品和标准样品进行高斯平滑处理；将处理后的待测样品和标准样品做点对点除法处理，得到拟合曲线；在所述拟合曲线中限定可用区域；由所述可用区域获得所述背离率；获得了与离子注入角度偏差成正比的背离率，从而能够明确判断设备是否需要维护节省了时间和耗材；并能够侦测到离子注入机早期微小的异常并给出改进方向。 | ||
| 搜索关键词： | 背离 计算方法 二次 离子 谱分析 方法 | ||
【主权项】：
一种背离率的计算方法，用于检测离子注入工艺参数，其特征在于，包括：提供待测样品和标准样品，并将所述待测样品和标准样品整合在同一坐标系中，所述待测样品和标准样品皆为离子注入后获取的二次离子质谱分析坐标图像；在保证区域面积和曲率不变的情况下，对所述待测样品和标准样品进行高斯平滑处理；将处理后的待测样品和标准样品做点对点除法处理，得到拟合曲线；在所述拟合曲线中限定可用区域，结合由所述待测样品和标准样品所决定的噪音区域、离子注入浓度相差最大的区域，包括至少95％的离子注入量及所述拟合曲线的纵坐标可用值限定可用区域；由所述可用区域获得所述背离率，在所述可用区域中定义点a、b、c，分别计算a、b两点和b、c两点的斜率，并取绝对值最大的一个斜率的绝对值作为背离率；其中，在所述背离率小于等于1时，所述背离率与离子注入角度偏差成正比。
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