[发明专利]反应腔室及设置有该反应腔室的MOCVD设备

摘要

本发明公开了一种反应腔室及设置有该反应腔室的MOCVD设备，涉及半导体设备制造领域，可提高基片放置区域的温度均匀性，从而获得更佳工艺效果，而且可以降低能耗，从而降低生产成本。本发明所述反应腔室内，贴近腔壁设置绝热壁，真空系统和冷却气体系统，其中所述绝热壁的上下两端分别通过上法兰和下法兰固定于反应腔室内，所述绝热壁包括内壁和外壁，所述内壁和外壁之间形成有一密封间隙；所述密封间隙分别与所述真空系统和所述冷却气体系统相连接；所述真空系统，用于在工艺前对所述密封间隙抽真空；所述冷却气体系统，用于在工艺结束后或工艺过程中需要快速降温的阶段，向所述密封间隙通入冷却气体。

主权项

一种反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内，贴近腔壁设置绝热壁，真空系统和冷却气体系统，其中：所述绝热壁的上下两端分别通过上法兰和下法兰固定于反应腔室内，所述绝热壁包括：内壁和外壁，所述内壁和外壁之间形成有一密封间隙；所述密封间隙分别与所述真空系统和所述冷却气体系统相连接；所述真空系统，用于在工艺前对所述密封间隙抽真空；所述冷却气体系统，用于在工艺结束后或工艺过程中需要快速降温的阶段，向所述密封间隙通入冷却气体；所述反应腔室，还包括：冷却装置，设置于所述内壁和外壁之间的密封间隙内，所述冷却装置用于冷却所述密封间隙内的冷却气体；所述冷却装置为水冷壁；所述上法兰内设置有上法兰水冷壁，所述下法兰内设置有下法兰水冷壁；所述上法兰水冷壁和下法兰水冷壁分别与为水冷壁的所述冷却装置连通；通过增大所述上、下法兰水冷壁与为水冷壁的所述冷却装置中的冷却水流量及流速，快速降低所述密封间隙中的冷却气体的温度，并通过所述真空系统排出来，以增大腔室与外界环境的散热。