[发明专利]一种分等级单斜相ZrO2纳米片的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310225841.8 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN103288132A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 黄飞;闫爱华;尹诗斌;廖振华;刘云;赵辉;张凯;强颖怀;张绍良 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: C01G25/02 分类号: C01G25/02;B82Y30/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 221008 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种分等级单斜相ZrO2纳米片的制备方法,属于ZrO2纳米片的制备方法。采用直接氧化刻蚀ZrB2陶瓷的方法,通过化学反应,原位自组装生成分等级单斜相ZrO2纳米片,步骤如下:1)选取ZrB2作为锆源,以热分解可产生氧气的物质作为氧源,以强腐蚀性氢氟酸作为辅助材料;2)配置氧源溶液,并添加表面活性剂,充分搅拌溶解;3)称取ZrB2陶瓷粉和钇盐,分别加入到上述溶液中;4)然后添加强腐蚀性氢氟酸,充分搅拌后,转移到特氟龙内衬的反应釜中进行水热反应;5)反应结束后,将产物过滤,用去离子水和乙醇清洗,并在烘箱中干燥;6)将干燥的产物热处理后得到最终单斜相ZrO2纳米片。该制备方法过程简单,操作条件易于控制,可用于实验室研究的少量制备及大批量生产。
搜索关键词: 一种 分等级 单斜 zro sub 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种分等级单斜相ZrO2纳米片的制备方法,其特征是:采用直接氧化刻蚀ZrB2陶瓷的方法,并通过一系列化学反应,原位自组装生成分等级单斜相ZrO2纳米片;该制备方法包括如下步骤:1)选取ZrB2作为锆源,以热分解可产生氧气的物质作为氧源,以强腐蚀性氢氟酸作为辅助材料;2)配置氧源溶液,并添加表面活性剂,充分搅拌溶解;3)称取ZrB2陶瓷粉和钇盐,分别加入到上述溶液中;4)然后添加强腐蚀性氢氟酸,充分搅拌后,转移到特氟龙内衬的反应釜中进行水热反应;5)反应结束后,将产物过滤,用去离子水和乙醇清洗,并在烘箱中干燥;6)将干燥的产物热处理后得到最终单斜相ZrO2纳米片。
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