[发明专利]采用高温熔融的方法制作碘离子选择性电极晶体膜在审
| 申请号： | 201310218712.6 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103308581A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 郑静雨 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用高温熔融的方法制作碘离子选择性电极晶体膜，方法是使碘化银（AgI）高温熔融，加入一定比例硫化银（Ag2S）对碘化银进行高温硫化反应，使碘化银与杂质分离，提高碘化银纯度，使碘化银延展性或韧性增强，解决了粉压法晶体膜碘离子选择性电极的选择性系数差、抗干扰能力差和晶体膜的内部产生空隙和裂纹等问题，碘离子对氯离子的选择性系数达到了10-6～10-7，尿样中其它杂质也不干扰测试，可直接用于人体尿碘的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 高温 熔融 方法 制作 离子 选择性 电极 晶体 | ||
【主权项】：
采用高温熔融的方法制作碘离子选择性电极晶体膜，其特征是，把碘化银加热至熔融，加入一定比例硫化银继续加热，用硫化银作为硫化剂对碘化银进行高温硫化，同时进行高温冶炼，去除杂质提纯，把经过硫化银高温硫化并高温熔融冶炼提纯的碘化银作为碘离子选择性电极的晶体膜。
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