[发明专利]一种消除金属层-绝缘层-金属层之钻蚀的方法有效
申请号: | 201310217290.0 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103346081A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 胡友存;姬峰;李磊;陈玉文 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/3213 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种消除金属层-绝缘层-金属层之钻蚀的方法,包括:淀积刻蚀阻挡层;淀积下金属板、绝缘层,以及上金属板;对所述上金属板、绝缘层、下金属板进行光刻、刻蚀、清洗;对所述上金属板进一步光刻、刻蚀、清洗;对所述上金属板进一步进行高选择比湿法刻蚀;实现铜互连。本发明在所述湿法刻蚀中,对所述上金属板和所述绝缘层具有高选择比,通过时间的调整可以使得所述上金属板的尺寸等于或略小于所述绝缘层的尺寸,以此消除绝缘之钻蚀结构形成的沟槽,防止了上金属板和下金属板之间的漏电,增加了击穿电压,进而改善上金属板和下金属板之间的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 金属 绝缘 钻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种消除金属层‑绝缘层‑金属层之钻蚀的方法,其特征在于,所述方法包括:执行步骤S1:对具有所述金属铜填充的基底之上表面进行化学机械研磨,并在所述具有所述金属铜填充的基底之上表面处淀积刻蚀阻挡层;执行步骤S2:在所述刻蚀阻挡层之异于所述基底的一侧依次淀积下金属板、绝缘层,以及上金属板;执行步骤S3:对所述上金属板、绝缘层、下金属板进行光刻、刻蚀、清洗,直至暴露所述刻蚀阻挡层;执行步骤S4:对所述上金属板进一步光刻、刻蚀、清洗;执行步骤S5:对所述上金属板进一步进行湿法刻蚀,所述湿法刻蚀中对所述上金属板和所述绝缘层具有高选择比,经过所述湿法刻蚀后,所述上金属板的尺寸等于或小于所述绝缘层的尺寸;执行步骤S6:实现所述金属铜、上金属板、下金属板后续的铜互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造