[发明专利]一种窄线宽电极的电子元件制造方法无效
申请号: | 201310207240.4 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN103325675A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 郑卫卫;吴震;戴春雷;孙峰;刘先忺 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张皋翔 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种窄线宽电极的电子元件制作方法,电极是线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的光刻电极,电极制作步骤如下:1)制作薄膜基片;2)在薄膜基片表面涂布感光性金属浆料层制作感光基片;3)采用设计有电极图案的掩膜板对感光基片进行光刻制作光刻电极。本发明方法基于光刻技术,掩膜板的电极图案根据所需光刻电极形状设计制作。采用电极图案的线宽为20μm的掩膜板,可以制作线宽为18.5μm~21.5μm的光刻电极;针对20μm线宽电极设计,可以实现±1μm光刻电极的线宽公差,以满足电极线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的小尺寸高精度电子元器件制作要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 窄线宽 电极 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种窄线宽电极的电子元件制作方法,包括以下步骤:对制作出的电极进行叠层,形成陶瓷生坯,再对所述陶瓷生坯依次完成切割、排胶、烧结、倒角、制作端电极和电镀,完成电子元件制作,其特征在于:所述电极是线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的电极,是采用光刻技术制作的光刻电极,其制作步骤如下:1)制作薄膜基片;2)涂布并制作感光基片,所述涂布是丝网印刷涂布和喷涂布中的一种,在薄膜基片表面涂布感光性金属浆料层;3)制作光刻电极,所述光刻是采用设计有电极图案的掩膜板对感光基片进行光刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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