[发明专利]功率变换器和矩阵变换器有效
申请号: | 201310185590.5 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN103427663B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 归山隼一 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H02M5/293 | 分类号: | H02M5/293;H02M1/08;H02H7/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提出了一种功率变换器和矩阵变换器。本公开减少了用于功率变换器的IC的数目。功率变换器包括n个功率晶体管和驱动器IC,每个功率晶体管具有连接至公用线的发射极端子或者源极端子。驱动器IC的每一个都包括n个预驱动器和接收器电路,所述n个预驱动器驱动相应的n个功率晶体管,并且所述接收器电路与所述n个预驱动器单片集成。接收器电路通过AC耦合与发射器电路耦合,并且响应于从所述发射器电路接收的信号输出控制所述n个预驱动器的控制信号。 | ||
搜索关键词: | 功率 变换器 矩阵 | ||
【主权项】:
一种功率变换器,包括:n个功率晶体管,每个功率晶体管具有连接至公用线的发射极端子或者源极端子;以及驱动器,其中所述驱动器包括:n个预驱动器,驱动相应的所述n个功率晶体管的栅极端子;以及接收器,与所述n个预驱动器单片集成,其中所述接收器通过AC耦合与发射器耦合,并且响应于从所述发射器接收的信号输出控制所述n个预驱动器的控制信号,其中所述发射器与第一半导体衬底集成,其中所述n个预驱动器和所述接收器与不同于所述第一半导体衬底的第二半导体衬底集成,以及其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底集成至同一封装。
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