[发明专利]光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置有效
申请号: | 201310182559.6 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103424984B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 吉川博树;深谷创一;稻月判臣;中川秀夫 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中,在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时,功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成,在形成该功能性膜的工序中,使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射:Co‑Sputtering)。另外,除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外,还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 及其 制造 方法 图案 溅射 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模坯料的制造方法,其为在透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料的制造方法,其特征在于,所述功能性膜由含有铬元素和选自铟、锡、铋、铊、锂、钠、钾和汞中的一种以上的金属元素的铬系材料构成,在形成所述功能性膜的工序中,使铬靶即靶A和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶即靶B同时溅射,即,使靶A和靶B共溅射,将所述靶A的总表面积设为SA、将所述靶B的总表面积设为SB时,使SB<SA,并且使所述总表面积SA与SB之比即SB/SA为0.7以下,对所述靶A供给的功率密度为0.5W/cm2以上且20.0W/cm2以下,对所述靶B供给的功率密度为5W/cm2以上且20.0W/cm2以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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