[发明专利]光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置有效

专利信息
申请号: 201310182559.6 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN103424984B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 吉川博树;深谷创一;稻月判臣;中川秀夫 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 金龙河;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中,在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时,功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成,在形成该功能性膜的工序中,使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射:Co‑Sputtering)。另外,除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外,还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
搜索关键词: 光掩模 坯料 及其 制造 方法 图案 溅射 装置
【主权项】:
1.一种光掩模坯料的制造方法,其为在透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料的制造方法,其特征在于,所述功能性膜由含有铬元素和选自铟、锡、铋、铊、锂、钠、钾和汞中的一种以上的金属元素的铬系材料构成,在形成所述功能性膜的工序中,使铬靶即靶A和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶即靶B同时溅射,即,使靶A和靶B共溅射,将所述靶A的总表面积设为SA、将所述靶B的总表面积设为SB时,使SB<SA,并且使所述总表面积SA与SB之比即SB/SA为0.7以下,对所述靶A供给的功率密度为0.5W/cm2以上且20.0W/cm2以下,对所述靶B供给的功率密度为5W/cm2以上且20.0W/cm2以下。
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