[发明专利]开关电路及用于操作开关电路的方法有效
| 申请号： | 201310180591.0 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103427815A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | T·戴格尔;J·L·斯图兹;科奈斯·P·斯诺登 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及开关电路及用于操作开关电路的方法。除了其它情况外，本申请公开了一种开关电路，所述开关电路包括耗尽型场效应晶体管(DMFET)，负电荷泵以及负鉴别器。所述耗尽型场效应晶体管(DMFET)具有导通状态和截止状态，其中，所述DMFET配置为在所述导通状态下将第一节点连接到第二节点上，并在所述截止状态下将所述第一节点隔离于所述第二节点；所述负电荷泵连接到所述DMFET的栅极端子上，并配置为向所述DMFET的所述栅极端子提供负电荷泵电压；所述负鉴别器配置为将所述第一节点处的第一电压和所述第二节点处的第二电压进行比较，并基于所述比较确定所述负电荷泵电压。 | ||
| 搜索关键词： | 开关电路 用于 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种开关电路，包括：耗尽型场效应晶体管DMFET，所述DMFET具有导通状态和截止状态，其中所述DMFET配置为在所述导通状态下将第一节点连接到第二节点上并在所述截止状态下将所述第一节点隔离于所述第二节点；连接到所述DMFET的栅极端子上的负电荷泵，所述负电荷泵配置为向所述DMFET的所述栅极端子提供一负电荷泵电压；以及连接到所述负电荷泵上的负鉴别器，所述负鉴别器配置为将所述第一节点处的第一电压与所述第二节点处的第二电压进行比较，并基于所述比较来确定所述负电荷泵电压。
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