[发明专利]一体化等离子体发生装置有效

专利信息
申请号: 201310177048.5 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN103237405A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 王波;辛强;姚英学;金会良;丁飞;李娜;金江;李铎 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H05H1/30 分类号: H05H1/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一体化等离子体发生装置,它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决常温大气等离子体加工过程中,匹配器与等离子体炬距离过大,导致其工作不稳定的问题。它的当匹配器与电容耦合等离子体射流炬模块组合连接时,电容耦合等离子体射流炬模块的第一连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接;当匹配器与电感耦合等离子体炬模块组合连接时,第二连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接;当匹配器与成形电极模块组合连接时,成形电极模块的第三连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接。本发明将匹配器和等离子体炬集成为一体,无需负载线连接,缩短了匹配器和负载之间的距离,可有效降低外界对装置的电磁干扰,同时使阻抗匹配效果更加稳定。
搜索关键词: 一体化 等离子体 发生 装置
【主权项】:
一体化等离子体发生装置,其特征在于它由匹配器(1)、电容耦合等离子体射流炬模块(2)、电感耦合等离子体炬模块(3)、成形电极模块(4)组成:所述电容耦合等离子体射流炬模块(2)由电容耦合等离子体射流炬(2‑1)、第一连接支架(2‑2)、第一绝缘连接架(2‑3)、第一保护罩(2‑4)组成;第一绝缘连接架(2‑3)的底端面连接在第一连接支架(2‑2)的中部,电容耦合等离子体射流炬(2‑1)的外壳中部镶嵌在第一绝缘连接架(2‑3)的孔(2‑5)中,第一保护罩(2‑4)围绕在电容耦合等离子体射流炬(2‑1)的周围,并与第一连接支架(2‑2)连接,使电容耦合等离子体射流炬(2‑1)的喷嘴露在第一连接支架(2‑2)和第一保护罩(2‑4)的外部;所述电感耦合等离子体炬模块(3)由电感耦合等离子体炬(3‑1)、第二连接支架(3‑2)、第二绝缘连接架(3‑3)、第二保护罩(3‑4)组成;第二绝缘连接架(3‑3)的底端面连接在第二连接支架(3‑2)的中部,电感耦合等离子体炬(3‑1)的外壳中部镶嵌在第二绝缘连接架(3‑3)的孔(3‑5)中,第二保护罩(3‑4)围绕在电感耦合等离子体炬(3‑1)的周围,并与第二连接支架(3‑2)连接,使电感耦合等离子体炬(3‑1)的喷嘴露在第二连接支架(3‑2)和第二保护罩(3‑4)的外部;所述成形电极模块(4)由成形电极(4‑1)、第三连接支架(4‑2)、第三绝缘连接架(4‑3)、第三保护罩(4‑4)组成;第三绝缘连接架(4‑3)的上端面与第三连接支架(4‑2)的下端面连接,成形电极(4‑1)的上端面与第三绝缘连接架(4‑3)的下端面连接,成形电极(4‑1)的导电引线(4‑5)穿过第三绝缘连接架(4‑3)上的孔和第三连接支架(4‑2)下侧的孔后设置在第三连接支架(4‑2)的中部附近,第三保护罩(4‑4)围绕在导电引线(4‑5)的周围,并与第三连接支架(4‑2)连接;当匹配器(1)与电容耦合等离子体射流炬模块(2)组合连接时,电容耦合等离子体射流炬模块(2)的第一连接支架(2‑2)的上端面与匹配器(1)的下面端面连接,匹配器(1)的正极引线穿过第一连接支架(2‑2)上端的孔后与电容耦合等离子体射流炬(2‑1)的正极引线导电连接,匹配器(1)的负极引线穿过第一连接支架(2‑2)上端的孔后与电容耦合等离子体射流炬(2‑1)的负极引线导电连接;当匹配器(1)与电感耦合等离子体炬模块(3)组合连接时,电感耦合等离子体炬模块(3)的第二连接支架(3‑2)的上端面与匹配器(1)的下面端面连接,匹配器(1)的正极引线穿过第二连接支架(3‑2)上端的孔后与电感耦合等离子体炬(3‑1)的正极引线导电连接,匹配器(1)的负极引线穿过第二连接支架(3‑2)上端的孔后与电感耦合等离子体炬(3‑1)的负极引线导电连接;当匹配器(1)与成形电极模块(4)组合连接时,成形电极模块(4)的第三连接支架(4‑2)的上端面与匹配器(1)的下面端面连接,匹配器(1)的正极引线穿过第三连接支架(4‑2)上端的孔后与成形电极(4‑1)的正极引线导电连接。
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