[发明专利]一种多孔GaN的制备方法无效
| 申请号： | 201310169136.0 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103332661A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 黄俊;徐科;王建峰;周桃飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔GaN材料的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将K2S2O8溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液；步骤S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH，配制pH值大于7的混合溶液；步骤S3、将GaN材料置于混合溶液中，用紫外光源照射GaN材料，获得多孔GaN材料。本发明利用极其廉价的光化学技术在GaN材料表面上产生纳米级孔洞，通过锁相放大器等微小电信号测试设备可以将GaN材料电阻率的微小变化检测出来，从而发展高灵敏度的气敏传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 gan 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔GaN材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将K2S2O8溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L‑2mol/L的K2S2O8溶液；S2、在所述K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH，配制pH值大于7的混合溶液；S3、将GaN材料置于所述混合溶液中，用紫外光源照射所述GaN材料，获得多孔GaN材料。
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