[发明专利]降低氮化镓缺陷密度的成长方法有效
| 申请号： | 201310146859.9 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078539B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 綦振瀛;郑隆杰;刘学兴;李庚谚 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 王玉双,鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾南*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种降低氮化镓缺陷密度的成长方法，于一基板上依序形成缓冲成长层、应力释放层以及第一纳米覆盖层，其中该第一纳米覆盖层具有多个连通该应力释放层的开口，接着于该开口进行第一岛状体的成长，而后于该第一岛状体上进行第一缓冲层及第二纳米覆盖层的成长，再进行第二岛状体的成长，以形成错位岛状结构。借由该第一纳米覆盖层及该第二纳米覆盖层的设置而直接成长多重的错位岛状结构，减少工艺复杂度，并且降低工艺环境的变异而影响良率的问题。此外，借由多次侧向磊晶成长方式有效提升氮化镓光电半导体的元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 氮化 缺陷 密度 成长 方法 | ||
【主权项】：
一种降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，包含有以下步骤：S1：于一基板上依序形成一缓冲成长层以及一应力释放层；S2：形成一第一纳米覆盖层于该应力释放层上，且该第一纳米覆盖层具有多个连通该应力释放层的开口；S3：于该些开口处进行一第一岛状体的成长，该第一岛状体具有一相邻于该开口的倾斜壁以及一远离该第一纳米覆盖层并连接该倾斜壁的顶壁；S4：形成一第一缓冲层于该第一纳米覆盖层及该第一岛状体的表面；S5：形成一第二纳米覆盖层于该第一缓冲层相应于该顶壁的位置，定义未被该第二纳米覆盖层覆盖的第一缓冲层的位置为一连接成长区；S6：进行一第二岛状体的成长，其形成于该连接成长区；S7：形成一第二缓冲层于该第二纳米覆盖层及第二岛状体的表面；S8：完成一错位岛状结构的成长；及S9：以该错位岛状结构作为缺陷密度的缓冲结构，将一氮化物半导体层形成于该错位岛状结构上。
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