[发明专利]系统级ESD保护的共享堆叠BJT钳位有效
申请号: | 201310134795.0 | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN103378097B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | C·E·吉尔;詹柔英 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及系统级ESD保护的共享堆叠BJT钳位。一种面积有效、高电压、双极性ESD保护器件(200)被提供以通过使用多个堆叠NPN器件(38、48、39)保护多个引脚(30、40)免受ESD事件,所述NPN器件有单独地可控的击穿电压并且共享一个或公共的NPN器件(39),从而减少了高压ESD保护电路的脚位而不减少强健性和功能性。 | ||
搜索关键词: | 系统 esd 保护 共享 堆叠 bjt | ||
【主权项】:
一种静电放电ESD保护电路,用于多个集成电路引脚,包括:第一双极结型晶体管BJT堆叠,具有被连接到第一集成电路引脚的第一端子,以及被连接到第一节点的第二端子,并且包括串联连接的第一多个双极型晶体管,每个双极型晶体管都形成有提供预定的触发电压的基极到集电极间距尺寸并且具有跨共享的二极管连接到参考电压的集电极区;第二BJT堆叠,具有被连接到第二集成电路引脚的第一端子,以及被连接到第二节点的第二端子,并且包括串联连接的第二多个双极型晶体管,每个双极型晶体管都形成有提供预定的触发电压的基极到集电极间距尺寸并且具有跨共享的二极管连接到参考电压的集电极区;以及第三共享的BJT堆叠,具有分别地在所述第一和第二节点处被连接到所述第一和第二BJT堆叠的第一端子,以及耦合于共享的参考电压端子的第二端子,所述第三共享的BJT堆叠包括串联连接的第三多个双极型晶体管,每个双极型晶体管都形成有提供预定的触发电压的基极到集电极间距尺寸并且具有跨共享的二极管连接到参考电压的集电极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司,未经恩智浦美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310134795.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的